三星批量生产第五代 V-NAND:96层堆叠,1.4Gbps传输速度
2019-08-30

IT之家7月10日消息 根据HKEPC的消息,三星最新宣布已开始批量生产第五代V-NAND内存颗粒,全新第五代V-NAND采用96层堆叠设计,单模容量为256Gb。三星全新256 Gb储存传输数据的速度最高可达到1.4 Gbps,相当64层NAND Flash增加了40%,并且可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

三星全新第五代V-NAND在密度进一步增加,由64层提升至96层,三星强调新芯片减少了晶圆上的物理X,Y尺寸,并拥有更高功率及性能。同时,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能够提供高达1.4Gbps的数据传输速度,比上代64层堆叠提升了40%。

全新V-NAND相比64层NAND Flash在性能上有所增强,主要是因为工作电压已从1.8V降至1.2V,同时新的V-NAND迄今为止的数据写入速度最快,达到500 μs,比上一代写入速度提高了约30%,而对读取讯号的反应时间则显示减少到50μs,新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命,并降低从桌面及数据中心系统的整体功耗。

三星表示,率先会打造单模256Gb容量的V-NAND,与目前大多数三星消费类SSD使用的相同尺寸,预计会在移动及SSD市场中得到广泛应用,未来将会推出基于第五代V-NAND的1Tb及QLC产品。